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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F128 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 3 Volt Intel StrataFlash Memory |
| 中文描述： | 3伏特英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/58頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 380K |
| 代理商： | 28F128 |
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28F128J3A, 28F640J3A, 28F320J3A
Preliminary
11
NOTES:
1. See
Table 2
for valid CE configurations.
2. OE# and WE# should never be enabled simultaneously.
3. DQ refers to DQ
0
–
DQ
7
if BYTE# is low and DQ
0
–
DQ
15
if BYTE# is high.
4. Refer to
DC Characteristics
. When V
PEN
≤
V
PENLK
, memory contents can be read, but not altered.
5. X can be V
IL
or V
IH
for control and address pins, and V
PENLK
or V
PENH
for V
PEN
. See
DC Characteristics
for
V
PENLK
and V
PENH
voltages.
6. In default mode, STS is V
OL
when the WSM is executing internal block erase, program, or lock-bit
configuration algorithms. It is V
OH
when the WSM is not busy, in block erase suspend mode (with
programming inactive), program suspend mode, or reset/power-down mode.
7. High Z will be V
OH
with an external pull-up resistor.
8. See
Section 3.6
for read identifier code data.
9. See
Section 4.2
for read query data.
10.Command writes involving block erase, program, or lock-bit configuration are reliably executed when V
PEN
=
V
PENH
and V
CC
is within specification.
11.Refer to
Table 4
for valid D
IN
during a write operation.
Table 3. Bus Operations
Mode
Notes
RP#
CE
0,1,2
(1)
OE#
(2)
WE#
(2)
Address
V
PEN
DQ
(3)
STS
(default
mode)
Read Array
4,5,6
V
IH
Enabled
V
IL
V
IH
X
X
D
OUT
High Z
(7)
Output Disable
V
IH
Enabled
V
IH
V
IH
X
X
High Z
X
Standby
V
IH
Disabled
X
X
X
X
High Z
X
Reset/Power-Down
Mode
V
IL
X
X
X
X
X
High Z
High Z
(7)
Read Identifier Codes
V
IH
Enabled
V
IL
V
IH
See
Figure 5
X
Note 8
High Z
(7)
Read Query
V
IH
Enabled
V
IL
V
IH
See
Table 7
X
Note 9
High Z
(7)
Read Status (WSM off)
V
IH
Enabled
V
IL
V
IH
X
X
D
OUT
Read Status (WSM on)
V
IH
Enabled
V
IL
V
IH
X
X
DQ
7
= D
OUT
DQ
15
–
8
= High Z
DQ
6
–
0
= High Z
Write
6,10,11
V
IH
Enabled
V
IH
V
IL
X
V
PENH
D
IN
X
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