參數資料
型號： ZVN4210G
廠商： ZETEX PLC
元件分類： JFETs
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
中文描述： 0.8 A, 100 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOT-223, 4 PIN
文件頁數： 3/3頁
文件大小： 36K
代理商： ZVN4210G
On-resistance v drain current
I
D-
Drain Current
(Amps)
R
(
)
0.1
1.0
10
3.5V
6V
V
GS
=3V
8V 10V
1
100
10
TYPICAL CHARACTERISTICS
Saturation Characteristics
V
DS
- Drain Source
Voltage (Volts)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
D
-
Normalised R
DS(on)
and V
GS(th)
v Temperature
T
j
-Junction Temperature (°C)
N
D
G
-50 -25
0
25 50 75 100
150
125
175 200
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
DanSouceRessanceR
DS(on
Gate Threshold Voltage V
GS(TH)
I
D=
1.5A
V
GS=
10V
I
D=
1mA
GS=
V
DS
2.6
225
7V
5V
4V
3.5V
6V
8V
V
GS=
9V
3V
2.5V
V
DS
-Drain Source Voltage (Volts)
Capacitance v drain-source voltage
C
0
20
40
60
80
100
0
120
80
40
160
200
Q-Charge (nC)
V
G
-
Gate charge v gate-source voltage
10
8
6
2
0
4
12
14
16
V
DD
=
20V
I
D=
1.5A
50V
0
1
2
3
4
5
6
Transconductance v drain current
I
D(on)
- Drain Current (Amps
)
g
f
-
0
1
2
0
100
200
400
300
500
3
4
5
V
DS=
10V
4
1
2
5
3
0
C
oss
C
rss
C
iss
80V
2V
5V
600
700
900
800
1000
ZVN4210G
相關PDF資料
PDF描述
ZVN4306G(3) Transient Voltage Suppressor Diodes
ZVN4306G N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
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參數描述
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