參數(shù)資料
型號： ZVN4210G
廠商： ZETEX PLC
元件分類： JFETs
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
中文描述： 0.8 A, 100 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOT-223, 4 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 36K
代理商： ZVN4210G
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
PARAMETER
SYMBOL MIN.
TYP
MAX . UNIT CONDITIONS.
Diode Forward Voltage (1)
V
S D
-
-
0.79
0.89
-
-
V
V
I
S
=0.32A, V
GS
=0V
I
S
=1.0A, V
GS
=0V
I
F
=0.45A, V
GS
=0V,
I
R
=100mA, V
R
=10V
Reverse Recovery Time
(to I
R
=10%)
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2% (2) Sample test.
(3) Switching times measured with 50
source impedance and <5ns rise time on a pulse generator
Spice parameter data is available upon request for this device
T
RR
-
135
ns
ZVN4210G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZVN4306G(3) Transient Voltage Suppressor Diodes
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ZVN4310A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
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ZVN4424A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
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參數(shù)描述
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ZVN4210GTC 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZVN4306A 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZVN4306A 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N LOGIC E-LINE
ZVN4306ASTOA 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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