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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ZVN3306F |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| 中文描述： | 150 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 94K |
| 代理商： | ZVN3306F |
TYPICAL CHARACTERISTICS
V
DS
- Drain Source
Voltage (Volts)
Saturation Characteristics
-
Transfer Characteristics
V
D
D
V
Voltage Saturation Characteristics
V
GS-
Gate Source Voltage
(Volts)
I
D=
1A
0.5A
0.25A
D
-
V
GS
-Gate Source
Voltage (Volts)
0.6
0
0.2
0.4
0.8
0
2
4
6
8
10
1.0
V
GS=
10V
5V
7V
8V
6V
4V
3V
9V
Normalised R
DS(on)
and V
GS(th)
vs Temperature
N
D
G
-40 -20
0
20 40 60 80
120
100
140 160
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
DranSouceResstanceR
DSon
Gate Threshold Voltage V
GS(th)
I
D=-
0.5A
T-Temperature (C°)
0.4-80 -60
0.6
0
0.2
0.4
0.8
0
2
4
6
8
10
1.0
6
0
2
4
8
0
2
4
6
8
10
10
On-resistance vs gate-source voltage
V
GS
-Gate Source Voltage
(Volts)
D
-
(
)
1
10
20
1
10
5
Transconductance v drain current
I
D(on)
- Drain Current (Amps
)
g
f
-
0
0.1 0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7 0.8
0.9
1.0
0
V
DS=
18V
60
40
20
80
160
140
120
100
180
200
V
DS=
10V
I
D=
1A
0.5A
0.25A
ZVN3306F
3 - 394
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVN3310A | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| ZVN3310F | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| ZVN3320F | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| ZVN4106F | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| ZVN4206A | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZVN3306FTA | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZVN3306FTA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:ZVN3306F Series 60 V 5 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET- SOT-23 |
| ZVN3306FTC | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZVN3310A | 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZVN3310ASTOA | 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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