參數(shù)資料
型號(hào)： ZVN4206A
廠(chǎng)商： ZETEX PLC
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
中文描述： 600 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
封裝： TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 98K
代理商： ZVN4206A
N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 – JUNE 94
FE60 Volt V
*
DS
*
R
DS(on)
= 1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Drain-Source Voltage
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
tot
T
j
:T
stg
60
V
Continuous Drain Current at T
amb
=25°C
Pulsed Drain Current
600
mA
8
A
Gate-Source Voltage
±
20
0.7
V
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
W
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
MAX.
UNIT CONDITIONS.
Drain-Source Breakdown
Voltage
BV
DSS
60
V
I
D
=1mA, V
GS
=0V
Gate-Source Threshold
Voltage
V
GS(th)
1.3
3
V
ID=1mA, V
DS
= V
GS
Gate-Body Leakage
I
GSS
I
DSS
100
nA
V
GS
=
±
20V, V
DS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0
V
DS
=48V, V
GS
=0V, T=125°C
(2)
Zero Gate Voltage Drain
Current
10
100
μ
A
μ
A
On-State Drain Current(1)
I
D(on)
R
DS(on)
3
A
V
DS
=25V, V
GS
=10V
V
GS
=10V,I
=1.5A
V
GS
=5V,I
D
=500mA
Static Drain-Source On-State
Resistance (1)
1
1.5
Forward Transconductance(1)(2
)
g
fs
300
mS
V
DS
=25V,I
D
=1.5A
Input Capacitance (2)
C
iss
C
oss
100
pF
Common Source Output
Capacitance (2)
60
pF
V
DS
=25V, V
GS
=0V, f=1MHz
Reverse Transfer Capacitance
(2)
C
rss
20
pF
Turn-On Delay Time (2)(3)
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
8
ns
V
DD
≈
25V, I
D
=1.5A
Rise Time (2)(3)
12
ns
Turn-Off Delay Time (2)(3)
12
ns
Fall Time (2)(3)
15
ns
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2% (2) Sample test.
(3) Switching times measured with 50
source impedance and <5ns rise time on a pulse generator
ZVN4206A
DGS
E-LINE
TO92 COMPATIBLE
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PDF描述
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