參數(shù)資料
型號(hào)： ZVN3310A
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
中文描述： 200 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 78K
代理商： ZVN3310A
N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 – MARCH 94
FEATURES
*
100 Volt V
DS
*
R
DS(on)
= 10
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Drain-Source Voltage
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
tot
T
j
:T
stg
100
V
Continuous Drain Current at T
amb
=25°C
Pulsed Drain Current
200
mA
2
A
Gate-Source Voltage
±
20
625
V
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
mW
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
MAX .
UNIT CONDITIONS.
Drain-Source Breakdown
Voltage
BV
DS S
100
V
I
D
=1mA, V
GS
=0V
Gate-Source Threshold
Voltage
V
GS (th)
0.8
2.4
V
ID=1mA, V
DS
= V
GS
Gate-Body Leakage
I
GS S
20
nA
V
GS
=
±
20V, V
DS
=0V
Zero Gate Voltage Drain
Current
I
DS S
1
50
μ
A
μ
A
V
DS
=100V, V
GS
=0
V
DS
=80V, V
GS
=0V, T=125°C
(2)
On-State Drain Current(1)
I
D(on)
500
mA
V
DS
=25V, V
GS
=10V
S tatic Drain-Source On-State
Resistance (1)
R
DS (on)
10
V
GS
=10V,I
D
=500mA
Forward Transconductance(1)(2
)
g
fs
100
mS
V
DS
=25V,I
D
=500mA
Input Capacitance (2)
C
iss
40
pF
Common Source Output
Capacitance (2)
C
oss
15
pF
V
DS
=25V, V
GS
=0V, f=1MHz
Reverse Transfer Capacitance
(2)
C
rss
5
pF
Turn-On Delay Time (2)(3)
t
d(on)
5
ns
V
DD
≈
25V, I
D
=500mA
Rise Time (2)(3)
t
r
7
ns
Turn-Off Delay Time (2)(3)
t
d(off)
6
ns
Fall Time (2)(3)
t
f
7
ns
E-Line
TO92 Compatible
ZVN3310A
3-378
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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ZVN3320F N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
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