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參數(shù)資料
| 型號： | ZVN2535 |
| 廠商： | Zetex Semiconductor |
| 元件分類： | 圓形連接器 |
| 英文描述： | Circular Connector; Body Material:Aluminum; Series:PT00; No. of Contacts:10; Connector Shell Size:12; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Circular Contact Gender:Pin; Insert Arrangement:12-10 |
| 中文描述： | N溝道增強型場效應(yīng)管垂直的DMOS |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 44K |
| 代理商： | ZVN2535 |
TYPICAL CHARACTERISTICS
Output Characteristics
V
DS
- Drain Source
Voltage (Volts)
D
Transfer Characteristics
Saturation Characteristics
V
D
D
V
Voltage Saturation Characteristics
V
GS-
Gate Source Voltage
(Volts)
I
D=
250mA
100mA
50mA
D
V
GS-
Gate Source
Voltage (Volts)
D
D
V
DS
- Drain Source
Voltage (Volts)
14
12
10
6
2
0
4
8
16
18
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS=
10V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
10V
6V
4V
3V
V
GS
=
800
600
200
0
400
700
500
300
100
10V
4V
3V
V
GS
=
350
300
250
150
50
0
100
200
400
450
0
5
10
15
20
25
500
200
0
400
300
100
V
DS
-Drain Source Voltage (Volts)
Capacitance v drain-source voltage
C
C
oss
C
rss
C
iss
0
10
20
30
40
50
75
50
25
100
125
Transconductance v drain current
I
D
- Drain Current (mA
)
g
f
-
0
100
200
300
400
500
0
50
100
200
150
250
ZVN2535A
3-373
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVN2535A | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| ZVN3306A | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| ZVN3306F | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| ZVN3310A | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| ZVN3310F | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZVN2535A | 功能描述:MOSFET N-Chnl 350V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZVN2535AM1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 90MA I(D) | SO |
| ZVN2535ASTOA | 功能描述:MOSFET N-Chnl 350V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZVN2535ASTOB | 功能描述:MOSFET N-Chnl 350V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZVN2535ASTZ | 功能描述:MOSFET N-Chnl 350V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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