參數(shù)資料
型號： ZTX758
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
中文描述： 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： ZTX758
ZTX758
0.01
0.1
20
1
10
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.001
0.2
1.6
1.4
1.2
0.01
0.1
20
1
10
1.0
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1.4
1.2
0.01
0.1
20
1
10
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.2
1.6
1.4
1.2
TYPICAL CHARACTERISTICS
V
CE(sat)
v I
C
I
C
-
Collector Current (Amps)
C
-
T
amb
=25°C
V
CE(sat)
v I
C
I
C
-
Collector Current (Amps)
C
-
+25°C
+100°C
-55°C
+25°C
+100°C
-55°C
+100°C
I
C
-
Collector Current (Amps)
I
C
-
Collector Current (Amps)
h
FE
v I
C
V
BE(sat)
v I
C
I
C
-
Collector Current (Amps)
V
BE(on)
v I
C
h
F
-
B
-
B
-
I
C
-
I
C
/I
B
=10
I
C
/I
B
=50
I
C
/I
=10
I
C
/I
B
=20
I
C
/I
B
=10
V
CE
=10V
V
CE
=10V
300
200
100
h
F
-
V
CE
-
Collector Voltage (Volts)
Safe Operating Area
100
1
10
0.001
0.01
0.1
1.0
Single Pulse Test at T
amb
=25°C
D.C.
100ms
10ms
1.0ms
0.1ms
0.001
0.001
0.001
+-55°C
+100°C
+175°C
1000
3-269
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZTX776 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
ZTX788A PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
ZTX788B PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
ZTX789 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
ZTX789A PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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ZTX758STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX758STOB 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX758STZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX776 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 PNP High Voltage RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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