參數(shù)資料
型號(hào)： ZTX758
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
中文描述： 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 58K
代理商： ZTX758
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ISSUE 1 APRIL 94
FEATURES
*
400 Volt V
CEO
*
0.5 Amp continuous current
*
P
tot
=1 Watt
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
-400
V
Collector-Emitter Voltage
-400
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Peak Pulse Current
-1
A
Continuous Collector Current
-500
mA
Power Dissipation at T
=25°C
derate above 25°C
1
5.7
W
mW/ °C
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
I
C
=-100
μ
A
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-400
V
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
CEO(SUS)
-400
V
I
C
=-10mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-100
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-100
nA
V
CB
=-320V
Collector Cut-Off
Current
I
CES
-100
nA
V
CE
=-320V
Emitter Cut-Off Current I
EBO
-100
nA
V
EB
=-4V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-0.30
-0.25
-0.50
V
V
V
I
C
=-20mA, I
B
=-1mA
I
C
=-50mA, I
B
=-5mA*
I
C
=-100mA, I
B
=-10mA*
I
C
=-100mA, I
B
=-10mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-0.9
V
Base-Emitter
Turn On Voltage
V
BE(on)
-0.9
V
IC=-100mA, V
CE
=-5V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
50
50
40
I
C
=-1mA, V
=-5V
I
C
=-100mA, V
CE
=-5V*
I
C
=-200mA, V
CE
=-10V*
E-Line
TO92 Compatible
3-267
ZTX758
C
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PDF描述
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