參數(shù)資料
型號(hào)： ZTX789A
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
中文描述： 3000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： E-LINE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 59K
代理商： ZTX789A
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER
HIGH GAIN TRANSISTOR
ISSUE 2 APRIL 94
FEATURES
*
25 Volt V
CEO
*
Gain of 200 at I
C
=2 Amps
*
Very low saturation voltage
APPLICATIONS
*
Darlington replacement
*
Battery powered circuits
*
Motor drivers
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-25
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-25
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-5
V
Peak Pulse Current
I
CM
-8
A
Continuous Collector Current
I
C
-3
A
Practical Power Dissipation*
P
totp
1.5
W
Power Dissipation
at T
=25°C
derate above 25°C
P
tot
1
5.7
W
mW/°C
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +200
°C
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a
P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
-25
V
I
C
=-100
μ
A
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
V
(BR)CEO
-25
V
I
C
=-10mA*
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-100
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
-0.1
μ
A
μ
A
V
CB
=-15V
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
-0.1
V
EB
=-4V
Collector-Emitter Saturation
Voltage
V
CE(sat)
-0.25
-0.45
-0.5
V
V
V
I
C
=-1A, I
B
=-10mA*
I
C
=-2A, I
B
=-20mA*
I
C
=-3A, I
B
=-100mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-1.0
V
I
C
=-1A, I
B
=-10mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
-0.8
V
IC=-1A, V
CE
=-2V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
300
250
200
100
800
I
C
=-10mA, V
=-2V
I
C
=-1A, V
CE
=-2V*
I
C
=-2A, V
CE
=-2V*
I
C
=-6A, V
CE
=-2V*
E-Line
TO92 Compatible
3-276
C
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