參數(shù)資料
型號： ZTX792
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
中文描述： 進(jìn)步黨硅平面中功率高增益晶體管
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 61K
代理商： ZTX792
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER
HIGH GAIN TRANSISTOR
ISSUE 2 APRIL 94
FEATURES
*
70 Volt V
CEO
*
Gain of 400 at I
C
=3 Amps
*
Very low saturation voltage
APPLICATIONS
*
Darlington replacement
*
Flash gun convertors
*
Battery powered circuits
*
Motor drivers
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-75
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-70
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-5
V
Peak Pulse Current
I
CM
-4
A
Continuous Collector Current
I
C
-2
A
Practical Power Dissipation*
P
totp
1.5
W
Power Dissipation
at T
=25°C
derate above 25°C
P
tot
1
5.7
W
mW/°C
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +200
°C
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a
P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
-75
V
I
C
=-100
μ
A
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
V
(BR)CEO
-70
V
I
C
=-10mA*
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-100
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
-0.1
μ
A
μ
A
V
CB
=-40V
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
-0.1
V
EB
=-4V
Collector-Emitter Saturation
Voltage
V
CE(sat)
-0.45
-0.5
-0.5
V
V
V
I
C
=-500mA, I
=-5mA*
I
C
=-1A, I
B
=-25mA*
I
C
=-2A, I
B
=-200mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-0.95
V
I
C
=-1A, I
B
=-25mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
-0.75
V
IC=-1A, V
CE
=-2V*
Static Forward Current
Transfer
h
FE
300
250
200
800
I
C
=-10mA, V
CE
=-2V*
I
C
=-500mA, V
=-2V*
I
C
=-1A, V
CE
=-2V*
E-Line
TO92 Compatible
3-282
C
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