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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ZTX776 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 1000 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 26K |
| 代理商： | ZTX776 |
PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 1 JULY 94
FEATURES
*
200 Volt V
CEO
*
1 Amp continuous current
*
P
tot
= 1 Watt
REFER TO ZTX755 FOR GRAPHS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
-200
V
Collector-Emitter Voltage
-200
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Peak Pulse Current
-2
A
Continuous Collector Current
-1
A
Power Dissipation at T
=25°C
derate above T
amb
=25°C
1
5.7
W
mW/ °C
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-200
V
I
C
=-100
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-200
V
I
C
=-10mA, I
B
=0*
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-100
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-100
nA
V
CB
=-160V, I
E
=0
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
-100
nA
V
EB
=-4V, I
C
=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-0.5
-0.5
V
V
I
C
=-500mA, I
=-50mA*
I
C
=-1A, I
B
=-200mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-1.1
V
I
C
=-500mA, I
B
=-50mA*
Base-Emitter Turn-On
Voltage
V
BE(on)
-1.0
V
IC=-500mA, V
CE
=-5V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
50
50
20
I
C
=-10mA, V
CE
=-5V
I
C
=-500mA, V
=-5V*
I
C
=-1A, V
CE
=-5V*
Transition
Frequency
f
T
30
MHz
I
=-10mA, V
CE
=-20V
f=20MHz
Output Capacitance
C
obo
20
pF
V
CB
=-20V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
E-Line
TO92 Compatible
ZTX776
3-270
C
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| ZTX788A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX788ASTOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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