參數(shù)資料
型號: ZTX652
廠商: ZETEX PLC
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: NPN SILICON PLANAR(MEDIUM POWER TRANSISTORS)
中文描述: 2000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
文件頁數(shù): 2/3頁
文件大?。?/td> 61K
代理商: ZTX652
3-223
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
ZTX652
ZTX653
UNIT CONDITIONS.
MIN.
TYP.
MAX. MIN.
TYP.
MAX.
Transition
Frequency
f
T
140
175
140
175
MHz
I
=100mA, V
CE
=5V
f=100MHz
Switching Times
t
on
80
80
ns
I
C
=500mA, V
CC
=10V
I
B1
=I
B2
=50mA
t
off
1200
1200
ns
Output Capacitance C
obo
30
30
pF
V
CB
=10V f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
2%
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
SYMBOL
MAX.
UNIT
Thermal Resistance:Junction to Ambient
1
Junction to Ambient
2
Junction to Case
R
th(j-amb)1
R
th(j-amb)2
R
th(j-case)
175
116
70
°C/W
°C/W
°C/W
Device mounted on P.C.B. with copper equal to 1 sq. Inch minimum.
ZTX652
ZTX653
-40
0.0001
Derating curve
T
-Temperature
(°C)
M
-
Maximum transient thermal impedance
Pulse Width (seconds)
T
10
100
1
0.1
0.01
-20
0
20
40
60 80 100 120
200
180
160
140
0.001
0
100
200
D=0.2
D=0.1
Single Pulse
D=0.5
t
1
t
P
D=t
1
/t
P
1.0
0.5
2.0
1.5
Casetempeaue
2.5
Ambient temperature
0
D=1 (D.C.)
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PDF描述
ZTX653 NPN SILICON PLANAR(MEDIUM POWER TRANSISTORS)
ZTX653DCSM NPN DUAL TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS
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ZTX656 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTORS
ZTX657 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTORS
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參數(shù)描述
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