參數(shù)資料
型號(hào)： ZTX655
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
中文描述： 1000 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 44K
代理商： ZTX655
NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTORS
ISSUE 2 JULY 94
FEATURES
*
150 Volt V
CEO
*
1 Amp continuous current
*
Low saturation voltage
*
P
tot
= 1 Watt
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
ZTX654
ZTX655
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
125
150
V
Collector-Emitter Voltage
125
150
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Peak Pulse Current
2
A
Continuous Collector Current
1
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature
Range
1
W
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
ZTX654
PARAMETER
SYMBOL
ZTX655
UNIT
CONDITIONS.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
125
150
V
I
C
=100
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
125
150
V
I
C
=10mA, I
B
=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
5
V
I
E
=100
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
100
100
nA
nA
V
CB
=100V, I
E
=0
V
CB
=125V, I
E
=0
V
EB
=3V, I
C
=0
Emitter Cut-Off
Current
I
EBO
100
100
nA
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.5
0.5
0.5
0.5
V
V
I
C
=500mA, I
=50mA*
I
C
=1A, I
B
=200mA*
I
C
=500mA, I
B
=50mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
1.1
1.1
V
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
1.0
1.0
V
I
C
=500mA, V
CE
=5V*
Static Forward
Current Transfer
Ratio
h
FE
50
50
20
50
50
20
I
C
=10mA, V
CE
=5V
I
C
=500mA, V
=5V*
I
C
=1A, V
CE
=5V*
I
=10mA, V
CE
=20V
f=20MHz
Transition
Frequency
f
T
30
30
MHz
Output Capacitance
C
obo
20
20
pF
V
CB
=20V, f=1MHz
E-Line
TO92 Compatible
ZTX654
ZTX655
3-225
C
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PDF描述
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ZTX657 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTORS
ZTX658 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ZTX688 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
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ZTX655DC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | CHIP
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ZTX655STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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