參數(shù)資料
型號： ZTX321
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORS
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： E-LINE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 55K
代理商： ZTX321
NPN SILICON PLANAR
HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORS
ISSUE 3 APRIL 94
FEATURES
*
15 Volt V
CEO
*
f
T
=600 MHz
APPLICATIONS
*
VHF/UHF operation
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
30
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
15
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
3
V
Base Current
I
B
100
mA
Continuous Collector Current
I
C
500
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
300
mW
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +175
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
V
CEO(SUS)
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
30
V
I
C
=10
μ
A, I
E
=0
I
C
=10mA, I
B
=0
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
V
CB
=15V, I
E
=0
V
EB
=2V, I
C
=0
I
C
=10mA, I
B
=1mA
I
C
=10mA, I
=1mA
I
C
=3mA, I
B
=0.3mA
I
C
=10mA, I
B
=1mA
I
C
=10mA, I
=1mA
I
C
=3mA, I
B
=0.3mA
I
C
=3mA, V
CE
=1V
I
C
=3mA, V
CE
=1V
I
C
=3mA, V
CE
=1V
V
CB
=10V, f=1MHz
V
EB
=0.5V, f=1MHz
I
C
=4mA, V
CE
=10V
I
C
=30mA, V
CE
=10V
I
E
=1mA, V
=6V
R
S
=400
,
f=60MHz
I
=6mA, V
CB
=12V
f=200MHz
Collector-Emitter Sustaining Voltage
15
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
3
V
μ
A
μ
A
Collector Cut-Off Current
0.01
Emitter Cut-Off Current
0.2
Collector-Emitter
Saturation Voltage
ZTX320, ZTX322
ZTX323
ZTX321
0.4
0.4
0.4
V
V
V
Base-Emitter
Saturation Voltage
ZTX320, ZTX322
ZTX323
ZTX321
V
BE(sat)
1.0
1.0
1.0
V
V
V
Static Forward
Current Transfer
Ratio
ZTX320, ZTX321
ZTX322
ZTX323
h
FE
20
20
100
300
150
300
Output Capacitance
C
obo
C
ibo
f
T
1.7
pF
Input Capacitance
1.6
pF
Transition Frequency at f=100MHz
600
400
MHz
MHz
Noise Figure
N
6
dB
Power Gain
g
pe
typical
15
dB
E-Line
TO92 Compatible
3-159
C
ZTX320 ZTX321
ZTX322 ZTX323
相關PDF資料
PDF描述
ZTX322 NPN SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORS
ZTX323 NPN SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORS
ZTX325 NPN SILICON PLANAR RF TRANSISTOR
ZTX327 NPN SILICON PLANAR R.F. MEDIUM POWER TRANSISTOR
ZTX341 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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ZTX321STZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX322 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 - RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
ZTX322STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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