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參數(shù)資料
| 型號： | ZTX322 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORS |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | E-LINE PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 55K |
| 代理商： | ZTX322 |
NPN SILICON PLANAR
HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORS
ISSUE 3 APRIL 94
FEATURES
*
15 Volt V
CEO
*
f
T
=600 MHz
APPLICATIONS
*
VHF/UHF operation
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
30
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
15
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
3
V
Base Current
I
B
100
mA
Continuous Collector Current
I
C
500
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
300
mW
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +175
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
V
CEO(SUS)
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
30
V
I
C
=10
μ
A, I
E
=0
I
C
=10mA, I
B
=0
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
V
CB
=15V, I
E
=0
V
EB
=2V, I
C
=0
I
C
=10mA, I
B
=1mA
I
C
=10mA, I
=1mA
I
C
=3mA, I
B
=0.3mA
I
C
=10mA, I
B
=1mA
I
C
=10mA, I
=1mA
I
C
=3mA, I
B
=0.3mA
I
C
=3mA, V
CE
=1V
I
C
=3mA, V
CE
=1V
I
C
=3mA, V
CE
=1V
V
CB
=10V, f=1MHz
V
EB
=0.5V, f=1MHz
I
C
=4mA, V
CE
=10V
I
C
=30mA, V
CE
=10V
I
E
=1mA, V
=6V
R
S
=400
,
f=60MHz
I
=6mA, V
CB
=12V
f=200MHz
Collector-Emitter Sustaining Voltage
15
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
3
V
μ
A
μ
A
Collector Cut-Off Current
0.01
Emitter Cut-Off Current
0.2
Collector-Emitter
Saturation Voltage
ZTX320, ZTX322
ZTX323
ZTX321
0.4
0.4
0.4
V
V
V
Base-Emitter
Saturation Voltage
ZTX320, ZTX322
ZTX323
ZTX321
V
BE(sat)
1.0
1.0
1.0
V
V
V
Static Forward
Current Transfer
Ratio
ZTX320, ZTX321
ZTX322
ZTX323
h
FE
20
20
100
300
150
300
Output Capacitance
C
obo
C
ibo
f
T
1.7
pF
Input Capacitance
1.6
pF
Transition Frequency at f=100MHz
600
400
MHz
MHz
Noise Figure
N
6
dB
Power Gain
g
pe
typical
15
dB
E-Line
TO92 Compatible
3-159
C
ZTX320 ZTX321
ZTX322 ZTX323
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZTX323 | NPN SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORS |
| ZTX325 | NPN SILICON PLANAR RF TRANSISTOR |
| ZTX327 | NPN SILICON PLANAR R.F. MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| ZTX341 | NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| ZTX360 | NPN SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZTX322STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX322STOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX322STZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX323 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 - RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| ZTX323STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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