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參數(shù)資料
| 型號： | ZTX327 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR R.F. MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | E-LINE PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 49K |
| 代理商： | ZTX327 |
NPN SILICON PLANAR R.F.
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 2 MARCH 94
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
CER
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
55
V
Collector-Emitter Voltage
30
55
V
V
Emitter-Base Voltage
3.5
V
Continuous Collector Current
400
mA
Power Dissipation
1.5
W
Operating and Storage Temperature Range
-55 to +175
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
55
V
I
C
=100
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
V
(BR)CEO(sus)
V
(BR)CER(sus)
30
55
V
IC=5mA, I
B
=0
I
C
=5mA, R
BE
=10
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
3.5
V
I
E
=100
μ
A,I
C
=0
Collector-Emitter
Cut-Off Current
I
CEO
20
μ
A
V
CB
=45V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(SAT)
1.0
V
I
C
=100mA, I
B
.=20mA
Static Forward
Current Transfer
h
FE
15
I
C
=50mA, V
CE
=5V
Transitional
Frequency
f
T
500
800
MHz
I
=25mA, V
CE
=15V
f=100MHz
Output Capacitance
C
obo
3.0
pF
V
=15V, I
C
=25mA
f=100MHz
R.F. power output
P
OUT
350
440
mW
V
=12V, P
IN
=80mW
f=400MHz
Efficiency
η
50
70
%
ZTX327
PAGE NO
C
E-Line
TO92 Compatible
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZTX341 | NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| ZTX360 | NPN SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTOR |
| ZTX3866 | NPN SILICON PLANAR R.F. MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| ZTX415 | NPN SILICON PLANAR AVALANCHE TRANSISTOR |
| ZTX450 | Connector; Mounting Type:Bracket mount; Series:EE Series |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZTX327STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX327STOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX327STZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX330 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX330STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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