參數(shù)資料
型號(hào)： ZTX3866
廠(chǎng)商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： NPN SILICON PLANAR R.F. MEDIUM POWER TRANSISTOR
中文描述： NPN硅平面射頻中功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大小： 50K
代理商： ZTX3866
NPN SILICON PLANAR R.F.
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 2 MARCH 94
FEATURES
*
1W P
OUT
at 175 MHz, 28V, 18dB typical
*
1W P
OUT
at 400 MHz, 28V, 9.7dB typical
*
High P
tot
*
High efficiency
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
CER
V
EBO
I
CM
P
tot
T
j
:T
stg
55
V
Collector-Emitter Voltage
30
V
Collector-Emitter Voltage
55
V
Emitter-Base Voltage
3.5
V
Continuous Collector Current
400
mA
Power Dissipation
350
mW
Operating and Storage Temperature Range
-55 to +175
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
55
V
I
C
=100
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO(sus)
30
V
I
C
=5mA, I
B
=0
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
3.5
V
I
E
=100
μ
A, I
E
=0
Collector Emitter
Cut-Off Current
I
CEO
20
μ
A
V
CB
=28V, I
B
=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
1.0
V
I
C
=100mA, I
B
=20mA
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
V
(BR)CER(sus)
55
V
IC=5mA, R
BE
=10
Static Forward
Current Transfer
h
FE
15
200
I
C
=50mA, V
CE
=5V
Transitional
Frequency
f
T
400
700
MHz
I
=25mA, V
CE
=15V
f=100MHz
Output Capacitance
C
obo
3.0
pF
V
CB
=30V, I
E
=0, f=1MHz
R.F. Power Output
P
OUT
700
900
mW
V
=28V, P
IN
=100mW
f=400MHz
Efficiency
η
50
70
%
E-Line
TO92 Compatible
ZTX3866
PAGE NO
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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ZTX450 Connector; Mounting Type:Bracket mount; Series:EE Series
ZTX451 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
ZTX452 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
ZTX453 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
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參數(shù)描述
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ZTX3866STOB 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX3866STZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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ZTX413STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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