參數(shù)資料
型號(hào)： ZTX341
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTOR
中文描述： 100 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： E-LINE PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 55K
代理商： ZTX341
NPN SILICON PLANAR
SMALL SIGNAL TRANSISTOR
ISSUE 2 MARCH 94
FEATURES
*
High voltage
*
Low current
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
100
V
Collector-Emitter Voltage
100
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Continuous Collector Current
100
mA
Base Current
20
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
300
mW
-55 to +175
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
100
V
I
C
=10
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
100
V
I
C
=10mA, I
B
=0
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off Current
I
CBO
0.5
μ
A
V
CB
=80V, I
E
=0
Collecor-Emitter Cut-Off
Current
I
CER
0.5
10
μ
A
μ
A
V
CE
=80V, R
BE
=50K
V
CE
=80V, R
BE
=50K
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.5
V
I
C
=2mA, I
B
=0.1mA
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
1.0
V
I
C
=2mA, I
B
=0.1mA
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
30
I
C
=2mA, V
CE
=1V
Transition Frequency
f
T
80
MHz
I
=5mA, V
CE
=5V
f=60MHz
Output Capacitance
C
obo
10
pF
V
CB
=6V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
T
amb
=100°C
E-Line
TO92 Compatible
ZTX341
3-164
C
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PDF描述
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