參數(shù)資料
型號： ZTX325
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR RF TRANSISTOR
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： E-LINE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 52K
代理商： ZTX325
NPN SILICON PLANAR
RF TRANSISTOR
ISSUE 2 MARCH 94
FEATURES
*
High f
T
, 1.3GHz
*
Low noise < 5dB at 500MHz
*
Power output at 500MHz >175mW
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
30
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
15
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
2.5
V
Mean Collector Current (Averaged over 100
μ
s)
I
AV
25
mA
Collector Current
I
CM
50
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
350
mW
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
V
CEO(SUS)
15
V
I
C
=10mA, I
B
=0
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off Current
I
CBO
10
nA
V
CB
=15V, I
E
=0
Emitter Cut-Off Current
I
CES
10
μ
A
V
CE
=15V, V
BE
=0
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
25
20
150
125
I
C
=2mA, V
CE
=1V*
I
C
=25mA, V
CE
=1V*
Transition Frequency
f
T
1.0
1.3
GHz
GHz
I
C
=2mA, V
CE
=5V, f=400MHz
I
C
=25mA, V
CE
=5V, f=400MHz
Capacitance, Collector
Depletion Layer
C
TC
1.5
pF
V
CB
=10V, I
E
=I
e
=0, f=1MHz
Capacitance, Emitter
Depletion Layer
C
TE
2.0
pF
VEB=0.5V, I
C
=I
c
=0, f=1MHz
Feedback Capacitance
-C
re
0.85
pF
V
CE
=5V, I
C
=2mA, f=1MHz
Feedback Time Constant
r
bb
C
b
c
2.0
12
ps
V
CB
=5V, -I
E
=2mA, f=10.7MHz
ZTX325
3-161
C
E-Line
TO92 Compatible
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PDF描述
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