參數(shù)資料
型號(hào)： WED3DL644V10BC
廠商： WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 4M X 64 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA153
封裝： 17 X 23 MM, BGA-153
文件頁(yè)數(shù)： 6/28頁(yè)
文件大?。?/td> 918K
代理商： WED3DL644V10BC
14
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.wedc.com
White Electronic Designs
WED3DL644V
August 2005
Rev. 6
FIG. 5 READ & WRITE CYCLE AT SAME BANK @BURST LENGTH=4
NOTES:
1.
Minimum row cycle times are required to complete internal DRAM operation.
2.
Row precharge can interrupt burst on any cycle. (CAS Latency - 1) number of valid output data is available after Row precharge. Last valid output will be Hi-Z(tSHZ) after the
clock.
3.
Access time from Row active command. tCC *(tRCD + CAS latency - 1) + tSAC.
4.
Output will be Hi-Z after the end of burst (1, 2, 4, 8 & full page bit burst).
RAS#
CAS#
ADDR
BA
DQM
A10/AP
CKE
CLOCK
CE#
Rb
Cb0
Ca0
Ra
CL = 2
DQ
Row Active
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Row Active
(A-Bank)
WE#
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
HIGH
tRCD
tRC
Rb
Note 1
Ra
Qa0
tSHZ
tRDL
tRAC
Qa1
Qa2
Qa3
Db0
Db1
Db2
Db3
CL = 3
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Db0
Db1
Db2
Db3
tSAC
tOH
Note 3
Note 4
Note 3
DON'T CARE
Note 2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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WMS512K8VL-100DECEA 512K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, CDSO32
WMS512K8VL-85DECE 512K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, CDSO32
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參數(shù)描述
WED3DL644V10BI 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:4Mx64 SDRAM
WED3DL644V7BC 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:4Mx64 SDRAM
WED3DL644V7BI 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:4Mx64 SDRAM
WED3DL644V8BC 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:4Mx64 SDRAM
WED3DL644V8BI 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:4Mx64 SDRAM
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