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參數(shù)資料
| 型號： | W9812G21H-6I |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-86 |
| 文件頁數(shù)： | 7/36頁 |
| 文件大小： | 1422K |
| 代理商： | W9812G21H-6I |
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W9812G2IH
Publication Release Date:Nov. 06, 2008
- 15 -
Revision A01
9.3 Capacitance
(VDD = 3.3V, f = 1 MHz, TA = 25°C)
PARAMETER
SYM.
MIN.
MAX.
UNIT
Input Capacitance
(A0 to A11, BS0, BS1, CS , RAS , CAS , WE , DQM, CKE)
CI
-
3.8
pf
Input Capacitance (CLK)
CCLK
-
3.5
pf
Input/Output capacitance (DQ0
DQ31)
CIO
-
6.5
pf
Note: These parameters are periodically sampled and not 100% tested.
9.4 DC Characteristics
(VDD = 3.3V
± 0.3V, TA = 0 to 70°C for -6C/-6/-75, TA = -40 to 85°C for -6I)
MAX.
PARAMETER
SYM.
-6C/-6/-6I
-75
UNIT
NOTES
Operating Current
tCK = min., tRC = min.
Active precharge command cycling
without burst operation
1 Bank operation
IDD1
130
110
3
Standby Current
tCK = min, CS = VIH
CKE = VIH
IDD2
45
35
3
VIH/L = VIH(min)/VIL(max.)
Bank: Inactive state
CKE = VIL
(Power Down mode)
IDD2P
2
3
Standby Current
CLK = VIL, CS = VIH
CKE = VIH
IDD2S
15
VIH/L = VIH(min)/VIL(max)
Bank: Inactive state
CKE = VIL
(Power Down mode)
IDD2PS
2
mA
No Operating Current
tCK = min., CS = VIH(min)
CKE = VIH
IDD3
70
65
Bank: Active state
(4 banks)
CKE = VIL
(Power Down mode)
IDD3P
15
Burst Operating Current
tCK = min.
Read/ Write command cycling
IDD4
200
180
3, 4
Auto Refresh Current
tCK = min.
Auto refresh command cycling
IDD5
230
210
3
Self Refresh Current
Self Refresh Mode
CKE = 0.2V
IDD6
2
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