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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W9812G21H-6I |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-86 |
| 文件頁數(shù)： | 14/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 1422K |
| 代理商： | W9812G21H-6I |
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W9812G2IH
Publication Release Date:Nov. 06, 2008
- 21 -
Revision A01
10.4 Mode Register Set Cycle
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
Burst Length
Addressing Mode
CAS Latency
(Test Mode)
A8
Reserved
A0
A7
A0
A9
A0
Write Mode
A10
A0
A11
BS0
"0"
A0
A3
A0
Addressing Mode
A0
0
A0
Sequential
A0
1
A0
Interleave
A0
A9
Single Write Mode
A0
0
A0
Burst read and Burst write
A0
1
A0
Burst read and single write
A0
A2 A1 A0
A0
0
A0
0
1
A0
0
1
0
A0
0
1
A0
1
0
A0
1
0
1
A0
1
0
A0
1
A0
Burst Length
A0
Sequential
A0
Interleave
1
A0
1
A0
2
A0
2
A0
4
A0
4
A0
8
A0
8
A0
Reserved
A0
Reserved
A0
Full Page
A0
CAS Latency
A0
Reserved
A0
Reserved
2
A0
3
Reserved
A0
A6 A5 A4
A0
0
A0
0
1
0
A0
0
1
A0
1
0
A0
0
1
tRSC
tCMS
tCMH
tCMS
tCMH
tCMS
tCMH
tCMS
tCMH
tAS
tAH
CLK
CS
RAS
CAS
WE
A0-A11
BS0,1
Register
set data
next
command
A0
Reserved
"0"
BS1
"0"
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W9812G21H-6C | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 4.5 ns, PDSO86 |
| W9812G6JH-6 | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54 |
| W986416AH-10 | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 8 ns, PDSO54 |
| W986432DH-6 | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO86 |
| W986432DH-8 | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO86 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W9812G2GB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GB-6 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GB-6I | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GB-75 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:a high-speed synchronous dynamic random access memory (SDRAM), organized as 1,048,576 words 】 4 banks 】 32 bits |
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