參數(shù)資料
型號： W9751G8JB-18
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： DRAM
英文描述： DDR DRAM, PBGA84
封裝： 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-84
文件頁數(shù)： 13/17頁
文件大小： 1458K
代理商： W9751G8JB-18
W9751G8JB
Publication Release Date: Oct. 12, 2010
- 5 -
Revision A01
3.
KEY PARAMETERS
SYM.
SPEED GRADE
DDR2-1066
DDR2-800
DDR2-667
Bin(CL-tRCD-tRP)
7-7-7
5-5-5/6-6-6
5-5-5
Part Number Extension
-18
-25/25I
-3
tCK(avg)
Average clock period
@CL = 7
Min.
1.875 nS
Max.
7.5 nS
@CL = 6
Min.
2.5 nS
Max.
7.5 nS
8 nS
@CL = 5
Min.
3 nS
2.5 nS
3 nS
Max.
7.5 nS
8 nS
@CL = 4
Min.
3.75 nS
Max.
7.5 nS
8 nS
@CL = 3
Min.
5 nS
Max.
8 nS
tRCD
Active to Read/Write Command Delay Time
Min.
13.125 nS
12.5 nS
15 nS
tRP
Precharge to Active Command Period
Min.
13.125 nS
12.5 nS
15 nS
tRC
Active to Ref/Active Command Period
Min.
53.125 nS
52.5 nS
55 nS
tRAS
Active to Precharge Command Period
Min.
40 nS
IDD0
Operating current
Max.
65 mA
55 mA
IDD1
Operation current (Single bank)
Max.
70 mA
62 mA
60 mA
IDD4R
Operating burst read current
Max.
120 mA
85 mA
80 mA
IDD4W
Operating burst write current
Max.
125 mA
110 mA
105 mA
IDD5B
Burst refresh current
Max.
85 mA
80 mA
IDD6
Self refresh current (TCASE
≤ 85°C)
Max.
6 mA
IDD7
Operating bank interleave read current
Max.
135 mA
120 mA
110 mA
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PDF描述
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