參數(shù)資料
型號： W25Q16DWZPIP
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： PROM
英文描述： 16M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
封裝： 6 X 5 MM, GREEN , PLASTIC, WSON-8
文件頁數(shù)： 11/83頁
文件大小： 1268K
代理商： W25Q16DWZPIP
W25Q16DW
Publication Release Date: April 01, 2011
- 19 -
Preliminary - Revision A
10.2.2 Instruction Set Table 1 (Standard SPI Instructions)(1)
INSTRUCTION NAME
BYTE 1
BYTE 2
BYTE 3
BYTE 4
BYTE 5
BYTE 6
CLOCK NUMBER
(0 – 7)
(8 – 15)
(16 – 23)
(24 – 31)
(32 – 39)
(40 – 47)
Write Enable
06h
Volatile SR Write Enable
50h
Write Disable
04h
Read Status Register-1
05h
(S7-S0)
(2)
Read Status Register-2
35h
(S15-S8)
(2)
Write Status Register
01h
(S7-S0)
(S15-S8)
Page Program
02h
A23-A16
A15-A8
A7-A0
D7-D0
(3)
Sector Erase (4KB)
20h
A23-A16
A15-A8
A7-A0
Block Erase (32KB)
52h
A23-A16
A15-A8
A7-A0
Block Erase (64KB)
D8h
A23-A16
A15-A8
A7-A0
Chip Erase
C7h/60h
Erase / Program Suspend
75h
Erase / Program Resume
7Ah
Power-down
B9h
Read Data
03h
A23-A16
A15-A8
A7-A0
(D7-D0)
Fast Read
0Bh
A23-A16
A15-A8
A7-A0
dummy
(D7-D0)
Release Powerdown / ID
(4)
ABh
dummy
(ID7-ID0)
(2)
Manufacturer/Device ID
(4)
90h
dummy
00h
(MF7-MF0)
(ID7-ID0)
JEDEC ID
(4)
9Fh
(MF7-MF0)
Manufacturer
(ID15-ID8)
Memory Type
(ID7-ID0)
Capacity
Read Unique ID
4Bh
dummy
(UID63-UID0)
Erase
Security Registers
(5)
44h
A23-A16
A15-A8
A7-A0
Program
Security Registers
(5)
42h
A23-A16
A15-A8
A7-A0
D7-D0
(3)
Read
Security Registers
(5)
48h
A23-A16
A15-A8
A7-A0
dummy
(D7-D0)
Enable QPI
38h
Enable Reset
66h
Reset
99h
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W25Q20BWUXIP 2M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
W25Q32BVSSAG 32M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
W25Q32BVSSAP 32M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
W25Q32BWSNIP 4M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8
W25Q32BWSSIG 4M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
W25Q16V 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI
W25Q16VSFIG 功能描述:IC FLASH 16MBIT 80MHZ 16SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:SpiFlash® 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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