參數(shù)資料
型號(hào)： VNN3NV04
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： “OMNIFET二”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 9/21頁(yè)
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代理商： VNN3NV04
9/21
VNN3NV04 / VNS3NV04 / VND3NV04 / VND3NV04-1
Source-Drain Diode Forward Characteristics
Derating Curve
Static Drain Source On Resistance
Static Drain-Source On resistance Vs. Input
Voltage
Transconductance
Static Drain-Source On resistance Vs. Input
Voltage
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
Id (A)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
Gfs (S)
Vds=13V
Tj=25oC
Tj=150oC
Tj=-40oC
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
Vin(V)
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
275
300
Rds(on) (mohms)
Id=3.5A
Id=1A
Id=3.5A
Id=1A
Id=3.5A
Id=1A
Tj=25oC
Tj=150oC
Tj=-40oC
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
Vin(V)
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
Rds(on) (mohms)
Id=1.5A
Tj=150oC
Tj=-40oC
Tj=25oC
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Id (A)
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
Vsd (mV)
Vin=0V
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
0.55
Id(A)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
Rds(on) (mohms)
Tj=25oC
Tj=150oC
Tj=-40oC
Vin=2.5V
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PDF描述
VNP10N06FI “OMNIFET ”：Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動(dòng)保護(hù)功率ＭＯＳＦＥＴ)
VNP10N06 Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動(dòng)保護(hù)功率MOSFET)
VNP10N07FI Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動(dòng)保護(hù)功率MOSFET)
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VNN7NV04 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
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