參數(shù)資料
型號： VNN3NV04
廠商： 意法半導體
英文描述： “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： “OMNIFET二”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數(shù)： 12/21頁
文件大小： 418K
代理商： VNN3NV04
12/21
VNN3NV04 / VNS3NV04 / VND3NV04 / VND3NV04-1
Normalized
Temperature
Input
Threshold
Voltage
Vs.
Step Response Current Limit
Normalized
Temperature
Current
Limit
Vs.
Junction
5
7.5
10
12.5
15
17.5
20
22.5
25
27.5
30
32.5
Vdd(V)
7.5
8
8.5
9
9.5
10
10.5
11
11.5
12
12.5
13
Tdlim(usec)
Vin=5V
Rg=220ohm
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
Tc (oC)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
Vinth (V)
Vds=Vin
Id=1mA
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
Tc (oC)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Ilim (A)
Vin=5V
Vds=13V
相關PDF資料
PDF描述
VNP10N06FI “OMNIFET ”：Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動保護功率ＭＯＳＦＥＴ)
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VNP10N07FI Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動保護功率MOSFET)
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VNP14N04 Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動保護功率MOSFET)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
VNN3NV04_09 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
VNN3NV0413TR 功能描述:功率驅動器IC N-Ch 40V 3.5A Omni RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VNN3NV04PTR-E 功能描述:功率驅動器IC OMNIFET III Low Side 120mOhm 3.5A 40V RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VNN3NV04TR-E 功能描述:電源開關 IC - 配電 N-Ch 40V 3.5A Omni RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VNN7NV04 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
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