參數(shù)資料
型號(hào)： VNN3NV04
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： “OMNIFET二”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/21頁
文件大?。?/td> 418K
代理商： VNN3NV04
3/21
VNN3NV04 / VNS3NV04 / VND3NV04 / VND3NV04-1
THERMAL DATA
(*)
When mounted on a standard single-sided FR4 board with 50mm
2
of Cu (at least 35
μ
m thick) connected to all DRAIN pins.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(
-40°C < T
j
< 150°C, unless otherwise specified)
OFF
ON
Symbol
Parameter
Value
Unit
SOT-223
18
SO-8
DPAK
3.5
IPAK
3.5
R
thj-case
R
thj-lead
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
}}}
Thermal Resistance Junction-lead
Thermal Resistance Junction-ambient
MAX
MAX
MAX
°C/W
°C/W
°C/W
15
65(*)
70(*)
54(*)
100
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
CLAMP
Drain-source Clamp
Voltage
Drain-source Clamp
Threshold Voltage
Input Threshold Voltage
Supply Current from Input
Pin
Input-Source Clamp
Voltage
Zero Input Voltage Drain
Current (V
IN
=0V)
V
IN
=0V; I
D
=1.5A
40
45
55
V
V
CLTH
V
IN
=0V; I
D
=2mA
36
V
V
INTH
V
DS
=V
IN
; I
D
=1mA
0.5
2.5
V
I
ISS
V
DS
=0V; V
IN
=5V
100
150
μ
A
V
INCL
I
IN
=1mA
I
IN
=-1mA
V
DS
=13V; V
IN
=0V; T
j
=25°C
V
DS
=25V; V
IN
=0V
6
-1.0
6.8
8
-0.3
30
75
V
I
DSS
μ
A
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
120
240
Unit
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
IN
=5V; I
D
=1.5A; T
j
=25°C
V
IN
=5V; I
D
=1.5A
m
1
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PDF描述
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VNN7NV04 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
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