參數(shù)資料
型號(hào)： VNN3NV04
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： “OMNIFET二”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數(shù)： 13/21頁
文件大?。?/td> 418K
代理商： VNN3NV04
13/21
VNN3NV04 / VNS3NV04 / VND3NV04 / VND3NV04-1
DIM.
mm.
TYP
inch
TYP.
MIN.
2.2
0.9
0.7
0.64
5.2
MAX.
2.4
1.1
1.3
0.9
5.4
0.85
MIN.
0.086
0.035
0.027
0.025
0.204
MAX.
0.094
0.043
0.051
0.031
0.212
0.033
A
A1
A3
B
B2
B3
B5
B6
C
C2
D
E
G
H
L
L1
L2
0.3
0.012
0.95
0.6
0.6
6.2
6.6
4.6
16.3
9.4
1.2
1
0.037
0.023
0.023
0.244
0.260
0.181
0.641
0.370
0.047
0.039
0.45
0.48
6
6.4
4.4
15.9
9
0.8
0.017
0.019
0.236
0.252
0.173
0.626
0.354
0.031
0.8
0.031
TO-251 (IPAK) MECHANICAL DATA
A
C
C
A
H
A
D
L
L2
L1
1
3
=
B
B
B
B
E
G
=
=
B
2
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PDF描述
VNP10N06FI “OMNIFET ”：Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動(dòng)保護(hù)功率ＭＯＳＦＥＴ)
VNP10N06 Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動(dòng)保護(hù)功率MOSFET)
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參數(shù)描述
VNN3NV04_09 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
VNN3NV0413TR 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC N-Ch 40V 3.5A Omni RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VNN3NV04PTR-E 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC OMNIFET III Low Side 120mOhm 3.5A 40V RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VNN3NV04TR-E 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 40V 3.5A Omni RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VNN7NV04 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
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