參數(shù)資料
型號: VNN3NV04
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述: “OMNIFET二”:充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數(shù): 15/21頁
文件大小: 418K
代理商: VNN3NV04
15/21
VNN3NV04 / VNS3NV04 / VND3NV04 / VND3NV04-1
DIM.
mm.
inch
MIN.
TYP
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
1.8
0.071
B
0.6
0.7
0.85
0.024
0.027
0.033
B1
2.9
3
3.15
0.114
0.118
0.124
c
0.24
0.26
0.35
0.009
0.01
0.014
D
6.3
6.5
6.7
0.248
0.256
0.264
e
2.3
0.09
e1
4.6
0.181
E
3.3
3.5
3.7
0.13
0.138
0.146
H
6.7
7
7.3
0.264
0.276
0.287
V
10 (max)
A1
0.02
0.1
0.0008
0.004
SOT-223 MECHANICAL DATA
0046067
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VNP10N06FI “OMNIFET ”:Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動(dòng)保護(hù)功率MOSFET)
VNP10N06 Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動(dòng)保護(hù)功率MOSFET)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VNN3NV04_09 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
VNN3NV0413TR 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC N-Ch 40V 3.5A Omni RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VNN3NV04PTR-E 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC OMNIFET III Low Side 120mOhm 3.5A 40V RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VNN3NV04TR-E 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 40V 3.5A Omni RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻(最大值):85 mOhms 開啟時(shí)間(最大值):400 us 關(guān)閉時(shí)間(最大值):20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流(最大值): 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VNN7NV04 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET