參數資料
型號: VMO400-02F
廠商: IXYS CORP
元件分類: JFETs
英文描述: MegaMOSFET Module
中文描述: 418 A, 200 V, 0.0042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數: 3/4頁
文件大小: 85K
代理商: VMO400-02F
IXYS Corporation
3540 Bassett Street, Santa Clara,CA 95054
Tel: 408-982-0700 Fax: 408-496-0670
IXYS Semiconductor
Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim, Germany
Tel: +49-6206-5030 Fax: +49-6206-503629
I
XYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
VMO 400-02F
Fig. 1 Typical output characteristics I
D
= f (V
DS
)
Fig. 2 Typical transfer characteristics I
D
= f (V
GS
)
0
1
2
3
4
5
6
0
250
500
750
1000
1250
5 V
6 V
7 V
8 V
9 V
V
DS
I
D
A
V
A
I
D
0
2
4
6
8
0
250
500
750
1000
1250
V
DS
= 30 V
V
V
GS
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
T
S
T
J
°C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0,6
0,7
0,8
0,9
1,0
1,1
1,2
V
DSS
norm.
°C
V
GS(th)
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
125
150
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
norm.
°C
0
200
400
600
800
1A
I
D
1200
0,8
0,9
1,0
1,1
1,2
1,3
1,4
R
DS(on)
V
GS
= 15 V
V
DSS
V
GS(th)
V
GS
= 10 V
norm.
R
DS(on)
I
D
V
GS
= 10 V
I
D
= 210 A
Fig. 5 Continuous drain current I
D
= f (T
K
)
Fig. 6 V
DSS
= f (T
J
), V
GS(th)
= f (T
J
), normalized
Fig. 3 Typical R
DS(on)
= f (I
D
), normalized
Fig. 4 R
DS(on)
= f (T
J
), normalized
相關PDF資料
PDF描述
VMO450-02F TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 450A I(D)
VMO550-01F HiPerFET MOSFET Module
VMO580-02F HipPerFETTM Module
VMOB70 MOBILE COMMUNICATIONS
VMP1 HIGHPERFORMANCE CPUs SINGLE-BOARD COMPUTERS
相關代理商/技術參數
參數描述
VMO40-05P1 功能描述:MOSFET N-CH ECO-PAC2 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:- 標準包裝:10 系列:*
VMO450-02F 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 450A I(D)
VMO500-02F 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 500A I(D)
VMO550-01F 功能描述:MOSFET 550 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VMO580-02F 功能描述:MOSFET HiperFET 200V 580A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube