參數(shù)資料
型號(hào)： VMO400-02F
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： MegaMOSFET Module
中文描述： 418 A, 200 V, 0.0042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 85K
代理商： VMO400-02F
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307 5,237,481 5,381,025
VMO 400-02F
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
pulsed
380
S
C
iss
C
oss
C
rss
53
nF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
9.6
nF
3.4
nF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
210
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
(External)
500
ns
900
ns
350
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
2300
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
420
nC
1150
nC
R
thJC
R
thJK
0.051 K/W
with 30
μ
m heat transfer paste
0.076 K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
418
A
I
SM
Repetitive; pulse width limited by T
JM
1672
A
V
SD
I
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
= I
; V
GS
= 0 V,
0.9
1.2
V
t
rr
I
F
= I
S
, -di/dt = 1200 A/
μ
s, V
DS
= 100 V
600
ns
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VMO450-02F TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 450A I(D)
VMO550-01F HiPerFET MOSFET Module
VMO580-02F HipPerFETTM Module
VMOB70 MOBILE COMMUNICATIONS
VMP1 HIGHPERFORMANCE CPUs SINGLE-BOARD COMPUTERS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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VMO450-02F 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 450A I(D)
VMO500-02F 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 500A I(D)
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VMO580-02F 功能描述:MOSFET HiperFET 200V 580A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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