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參數(shù)資料
| 型號： | V58C2256804SHUD6E |
| 廠商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 8 DDR DRAM, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, MS-024FC, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 42/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 1125K |
| 代理商： | V58C2256804SHUD6E |
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ProMOS TECHNOLOGIES
V58C2256(804/404/164)SH
V58C2256(804/404/164)SH Rev. 1.1 July 2010
Figure 36 - DATA INPUT (WRITE) TIMING
DI n = Data In for column n
Burst Length = 4 in the case shown
3 subsequent elements of Data In are applied in the programmed
order following DI n
Figure 37 - DATA OUTPUT (READ) TIMING
1. tDQSQ max occurs when DQS is the earliest among DQS and DQ signals to transition.
2. tDQSQ min occurs when DQS is the latest among DQS and DQ signals to transition.
3. tDQSQ nom, shown for reference, occurs when DQS transitions in the center among DQ signal transitions.
DON'T CARE
DQ
DM
DQS
DI
n
tDS
tDH
tDS
tDH
tDSL tDSH
t
min
DQSQ
t
max
DQSQ
DQ
DQS
t
min
DQSQ
t
max
DQSQ
t
nom
DQSQ
Burst Length = 4 in the case shown
tDV
DQS, DQ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V58C2256804SHUI4 | 32M X 8 DDR DRAM, PDSO66 |
| V59C1512164QCF3I | 32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
| V59C1G01168QBLJ-25I | DDR DRAM, PBGA84 |
| V59C1G01408QAUP25A | 256M X 4 DDR DRAM, PBGA68 |
| V59C1512164QALJ25AH | 32M X 16 DDR DRAM, PBGA92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V58C265164S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:64 Mbit DDR SDRAM 2.5 VOLT 4M X 16 |
| V58C265404S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 16M X 4 DDR SDRAM 4 BANKS X 4Mbit X 4 |
| V58C265804S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 8M X 8 DDR SDRAM 4 BANKS X 2Mbit X 8 |
| V58C3643204SAT | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 3.3 VOLT 2M X 32 DDR SDRAM 4 X 512K X 32 |
| V58C365164S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:64 Mbit DDR SDRAM 4M X 16, 3.3VOLT |
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