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參數(shù)資料
| 型號： | UPD703100-33 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | V850E/MS1TM 32/16-BIT SINGLE-CHIP MICROCONTROLLERS |
| 中文描述： | V850E/MS1TM 32/16單晶片微控制器 |
| 文件頁數(shù)： | 108/132頁 |
| 文件大?。?/td> | 1174K |
| 代理商： | UPD703100-33 |
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Preliminary Data Sheet U14168EJ2V0DS00
108
μ
PD703100A-33, 703100A-40, 703101A-33, 703102A-33
(g) DMA flyby transfer timing (DRAM (EDO, high-speed page)
→
external I/O transfer) (1/3)
Parameter
Symbol
Condition
MIN.
MAX.
Unit
WAIT setup time (to CLKOUT
↓
)
<24>
t
SWK
10
ns
WAIT hold time (from CLKOUT
↓
)
<25>
t
HKW
2
ns
Data output delay time from OE
↑
<37>
t
DRDOD
(0.5 + i) T – 10
ns
IOWR
↓
delay time from address
<41>
t
DAWR
(0.5 + w
RP
) T – 5
ns
Address setup time
(to UWR, LWR IOWR
↑
)
<42>
t
SAWR
(2 + w
RP
+ w
RH
+ w
DA
)
T – 10
ns
Address delay time from IOWR
↑
<43>
t
DWRA
0.5T – 5
ns
w
F
= 0
0
ns
RD
↑
delay time from IOWR
↑
<48>
t
DWRRD
w
F
= 1
T – 10
ns
IOWR low-level width
<50>
t
WWRL
(2 + w
RH
+ w
DA
+ w)
T – 10
ns
Row address setup time
<56>
t
ASR
(0.5 + w
RP
) T – 10
ns
Row address hold time
<57>
t
RAH
(0.5 + w
RH
) T – 10
ns
Column address setup time
<58>
t
ASC
0.5T – 10
ns
Column address hold time
<59>
t
CAH
(1.5 + w
DA
+ w
F
+ w)
T – 10
ns
Read/write cycle time
<60>
t
RC
(3 + w
RP
+ w
RH
+ w
DA
+
w
F
+w) T – 10
ns
RAS precharge time
<61>
t
RP
(0.5 + w
RP
) T – 5
ns
RAS hold time
<63>
t
RSH
(1.5 + w
DA
+ w
F
+ w)
T – 10
ns
Column address read time for RAS
<64>
t
RAL
(2 + w
CP
+ w
DA
+ w
F
+ w)
T – 10
ns
CAS pulse width
<65>
t
CAS
(1 + w
DA
+ w
F
+ w)
T – 10
ns
CAS-RAS precharge time
<66>
t
CRP
(1 + w
RP
) T – 10
ns
CAS hold time
<67>
t
CSH
(2 + w
RH
+ w
DA
+ w
F
+w)
T –
10
ns
WE setup time (to CAS
↓
)
<68>
t
RCS
(2 + w
RP
+ w
RH
) T – 10
ns
WE hold time (from RAS
↑
)
<69>
t
RRH
0.5T – 10
ns
WE hold time (from CAS
↑
)
<70>
t
RCH
1.5T – 10
ns
CAS precharge time
<71>
t
CPN
(2 + w
RP
+ w
RH
) T – 5
ns
RAS column address delay time
<76>
t
RAD
(0.5 + w
RH
) T – 10
ns
RAS-CAS delay time
<77>
t
RCD
(1 + w
RH
) T – 10
ns
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