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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UPD4664312F9-BE75X-CR2 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 64M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 4M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION |
| 中文描述： | 6400位CMOS移動(dòng)指明內(nèi)存分詞由16位溫度范圍 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 27/36頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 299K |
| 代理商： | UPD4664312F9-BE75X-CR2 |
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Preliminary Data Sheet M15867EJ5V0DS
27
μ
PD4664312-X
Figure 6-11. Write Cycle Timing Chart 5 (/LB, /UB Independent Controlled)
t
WC
t
AS
t
WC
t
AS
A1
A2
A3
t
WR
t
WR
t
DW
t
DH
t
DW
t
DH
t
BW
t
BW
t
ASO
/OE (Input)
t
OHAH
t
OES
t
OEH
t
BP
/CS (Input)
Address (Input)
Data In D2
I/O0 to I/O7 (Input)
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
/WE (Input)
Data In
D1
/LB (Input)
/UB (Input)
I/O8 to I/O15 (Input)
Cautions 1. During address transition, at least one of pins /CS and /WE, or both of /LB and /UB pins should be
inactivated.
2. Do not input data to the I/O pins while they are in the output state.
3. In write cycle, MODE and /OE should be fixed to high level.
Remark
Write operation is done during the overlap time of a low level /CS, /WE, /LB and/or /UB.
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