參數(shù)資料
型號： UPD4664312F9-B65X-CR2
廠商： NEC Corp.
英文描述： 64M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 4M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
中文描述： 6400位CMOS移動指明內(nèi)存分詞由16位溫度范圍
文件頁數(shù)： 32/36頁
文件大?。?/td> 299K
代理商： UPD4664312F9-B65X-CR2
Preliminary Data Sheet M15867EJ5V0DS
32
μ
PD4664312-X
9. Revision History
Edition/
Date
Page
Type of
revision
Location
Description
This
edition
Previous
edition
(Previous edition
→
This edition)
5th edition/
Throughout Throughout
Deletion
Class
-C75X, -C85X, -E85X, -E10X,
Aug. 2002
-BE85X, -CE80X, -CE90X
Modification Supply Voltage (Chip)
2.6 to 3.1 V
→
2.7 to 3.1 V
p.1
p.1
Deletion
Features
Fast access time: 80, 85, 90, 100 ns
Fast page access time: 30, 35 ns
pp.1, 15
pp.1, 15
Modification Operating supply current
-BE75X: TBD
→
40 mA
p.17
pp.17, 18
Addition
Read Cycle
t
OP
(MIN.): 2ns
p.20
p.22
Modification Figure 6-2
Timing charts are modified.
p.21
p.23
Modification Figure 6-3
Timing charts are modified.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPD4664312F9-BE75X-CR2 64M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 4M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
UPD488448FB-C60-53-DQ1 128 M-bit Direct Rambus⑩ DRAM
UPD488448FB-C80-45-DQ1 128 M-bit Direct Rambus⑩ DRAM
UPD488448FB-C80-45-DQ2 128 M-bit Direct Rambus⑩ DRAM
UPD488448FB-C71-45-DQ1 128 M-bit Direct Rambus⑩ DRAM
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