參數(shù)資料
型號(hào)： UPD4664312F9-B65X-CR2
廠商： NEC Corp.
英文描述： 64M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 4M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
中文描述： 6400位CMOS移動(dòng)指明內(nèi)存分詞由16位溫度范圍
文件頁(yè)數(shù)： 22/36頁(yè)
文件大?。?/td> 299K
代理商： UPD4664312F9-B65X-CR2
Preliminary Data Sheet M15867EJ5V0DS
22
μ
PD4664312-X
Figure 6-5. Read Cycle Timing Chart 5 (/LB, /UB Controlled)
/CS (Input)
Address (Input)
I/O (Output)
High-Z
High-Z
High-Z
t
RC
/OE (Input)
t
RC
A1
A2
A3
t
BHAH
t
BHAH
/LB, /UB (Input)
t
BA
t
BHZ
Data Out
Q1
t
BLZ
t
BA
t
BHZ
Data Out
Q2
t
BLZ
t
BP
t
BP
Remark
In read cycle, MODE and /WE should be fixed to high level.
Figure 6-6. Page Read Cycle Timing Chart
I/O (Output)
Address
(A3 to A21) (Input)
Page Address
(A0 to A2) (Input)
/CS (Input)
/OE (Input)
t
PRC
t
PRC
t
PRC
t
RC
t
PAA
t
OH
t
PAA
t
OH
t
PAA
t
OH
t
ACS
t
OE
t
OH
A
N+1
A
N+2
A
N+3
A
N+7
Q
N
Q
N+1
Q
N+2
Q
N+3
Q
N+7
t
CHZ
t
OHZ
A
N
t
PAA
t
OH
t
PRC
t
PAA
t
OH
t
PRC
t
PAA
t
OH
t
PRC
t
PAA
t
OH
Q
N+4
Q
N+5
Q
N+6
A
N+4
A
N+5
A
N+6
t
PRC
High-Z
Remarks 1.
In read cycle, MODE and /WE should be fixed to high level.
2.
/LB and /UB are low level.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPD4664312F9-BE75X-CR2 64M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 4M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
UPD488448FB-C60-53-DQ1 128 M-bit Direct Rambus⑩ DRAM
UPD488448FB-C80-45-DQ1 128 M-bit Direct Rambus⑩ DRAM
UPD488448FB-C80-45-DQ2 128 M-bit Direct Rambus⑩ DRAM
UPD488448FB-C71-45-DQ1 128 M-bit Direct Rambus⑩ DRAM
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參數(shù)描述
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