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參數(shù)資料
| 型號： | UPA858TD-T3 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 3V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-363VAR |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|一對|叩| 3V的五（巴西）總裁| 30mA的一（c）|的SOT - 363VAR |
| 文件頁數(shù)： | 4/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 172K |
| 代理商： | UPA858TD-T3 |
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Data Sheet PU10096EJ01V0DS
4
μ
PA850TD
TYPICAL CHARACTERISTICS (Unless otherwise specified, T
A
= +25
°
C)
300
250
200
180
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
T
t
Ambient Temperature T
A
(C)
TOTAL POWER DISSIPATION
vs. AMBIENT TEMPERATURE
Mounted on Glass Epoxy PCB
(1.08 cm
×
1.0 mm (t) )
2 Elements in total
Q2
Q1
Q1
Q2
R
r
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2
4
6
8
10
f = 1 MHz
R
r
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
2
4
6
8
10
f = 1 MHz
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA859TD | Discrete |
| UPB1007K | PLL FREQUENCY SYNTHESIZER |
| UPC1158H2 | Analog IC |
| UPC1176C | Analog IC |
| UPC1197C | Analog IC |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPA859TD | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete |
| UPA860TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete |
| UPA860TD | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete |
| UPA861TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete |
| UPA861TD | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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