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參數(shù)資料
| 型號： | UPA858TD-T3 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 3V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-363VAR |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|一對|叩| 3V的五（巴西）總裁| 30mA的一（c）|的SOT - 363VAR |
| 文件頁數(shù)： | 3/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 172K |
| 代理商： | UPA858TD-T3 |
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Data Sheet PU10096EJ01V0DS
3
μ
PA850TD
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25
°
C)
(1) Q1
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector Cut-off Current
I
CBO
V
CB
= 5 V, I
E
= 0 mA
100
nA
Emitter Cut-off Current
I
EBO
V
EB
= 1 V, I
C
= 0 mA
100
nA
DC Current Gain
h
FE
Note 1
V
CE
= 3 V, I
C
= 10 mA
75
110
150
Gain Bandwidth Product
f
T
V
CE
= 3 V, I
C
= 10 mA, f = 2 GHz
10.0
12.0
GHz
Insertion Power Gain
S
21e
2
V
CE
= 3 V, I
C
= 10 mA, f = 2 GHz
7.0
8.5
dB
Noise Figure
NF
V
CE
= 3 V, I
C
= 3 mA, f = 2 GHz,
Z
S
= Z
opt
1.5
2.5
dB
Reverse Transfer Capacitance
C
re
Note 2
V
CB
= 3 V, I
E
= 0 mA, f = 1 MHz
0.4
0.7
pF
(2) Q2
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector Cut-off Current
I
CBO
V
CB
= 5 V, I
E
= 0 mA
100
nA
Emitter Cut-off Current
I
EBO
V
EB
= 1 V, I
C
= 0 mA
100
nA
DC Current Gain
h
FE
Note 1
V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA
100
145
Gain Bandwidth Product (1)
f
T
V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA, f = 2 GHz
4.5
5.0
GHz
Gain Bandwidth Product (2)
f
T
V
CE
= 1 V, I
C
= 15 mA, f = 2 GHz
5.5
6.5
GHz
Insertion Power Gain (1)
S
21e
2
V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA, f = 2 GHz
3.5
4.5
dB
Insertion Power Gain (2)
S
21e
2
V
CE
= 1 V, I
C
= 15 mA, f = 2 GHz
4.5
6.0
dB
Noise Figure
NF
V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA, f = 2 GHz,
Z
S
= Z
opt
2.0
3.0
dB
Reverse Transfer Capacitance
C
re
Note 2
V
CB
= 0.5 V, I
E
= 0 mA, f = 1 MHz
0.45
0.56
0.70
pF
Notes 1.
Pulse measurement: PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
2.
Collector to base capacitance when the emitter grounded
h
FE
CLASSIFICATION
Rank
FB
Marking
vF
h
FE
Value of Q1
75 to 150
h
FE
Value of Q2
100 to 145
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA859TD | Discrete |
| UPB1007K | PLL FREQUENCY SYNTHESIZER |
| UPC1158H2 | Analog IC |
| UPC1176C | Analog IC |
| UPC1197C | Analog IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPA859TD | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete |
| UPA860TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete |
| UPA860TD | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete |
| UPA861TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete |
| UPA861TD | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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