參數(shù)資料
型號(hào)： UPA858TD-T3
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 3V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-363VAR
中文描述： 晶體管|晶體管|一對(duì)|叩| 3V的五（巴西）總裁| 30mA的一（c）|的SOT - 363VAR
文件頁(yè)數(shù)： 2/35頁(yè)
文件大小： 172K
代理商： UPA858TD-T3
Data Sheet PU10096EJ01V0DS
2
μ
PA850TD
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= +25
°
C)
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Q1
Q2
Collector to Base Voltage
V
CBO
9
15
V
Collector to Emitter Voltage
V
CEO
6
5
V
Emitter to Base Voltage
V
EBO
2
3
V
Collector Current
I
C
30
100
mA
Total Power Dissipation
P
tot
Note
180
190
mW
210 in 2 elements
Junction Temperature
T
j
150
°
C
Storage Temperature
T
stg
65 to +150
°
C
Note
Mounted on 1.08 cm
2
×
1.0 mm (t) glass epoxy PCB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA859TD Discrete
UPB1007K PLL FREQUENCY SYNTHESIZER
UPC1158H2 Analog IC
UPC1176C Analog IC
UPC1197C Analog IC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPA859TD 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:Discrete
UPA860TC 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:Discrete
UPA860TD 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:Discrete
UPA861TC 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:Discrete
UPA861TD 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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