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參數(shù)資料
| 型號： | UPA836TD |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|一對|叩| 6V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的TSOP |
| 文件頁數(shù)： | 4/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 196K |
| 代理商： | UPA836TD |
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Data Sheet P15358EJ1V0DS
4
μ
PA836TD
TYPICAL CHARACTERISTICS (Unless otherwise specified, T
A
= +25
°
C)
300
250
210
200
180
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
T
t
Ambient Temperature T
A
(C)
TOTAL POWER DISSIPATION
vs. AMBIENT TEMPERATURE
Mounted on Glass Epoxy Board
(1.08 cm
2
×
1.0 mm (t) )
2 Elements in total
Per Element
Q1
Q2
R
r
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
2
4
6
8
10
f = 1 MHz
R
r
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2
4
6
8
10
f = 1 MHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA836TD-T3 | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP |
| UPA841TC | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TSOP |
| UPA846TC-T1 | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 35MA I(C) | TSOP |
| UPA846TD | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 35MA I(C) | TSOP |
| UPA846TD-T3 | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 35MA I(C) | TSOP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPA836TD-T3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP |
| UPA836TF | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI MOLD PACKAGE |
| UPA836TF-T1 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI MOLD PACKAGE |
| UPA837TF | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR |
| UPA837TF-T1 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR |
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