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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UPA836TD |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|一對(duì)|叩| 6V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的TSOP |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/40頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 196K |
| 代理商： | UPA836TD |
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Data Sheet P15358EJ1V0DS
13
μ
PA836TD
Q1
Q2
V
CE
= 3 V
f = 1 GHz
Collector Current I
C
(mA)
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG
vs. COLLECTOR CURRENT
M 25
0
1
I
2
|
2
M
20
10
15
10
100
MAG
MSG
|S
21e
|
2
V
= 3 V
f = 4 GHz
Collector Current I
C
(mA)
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG
vs. COLLECTOR CURRENT
M 15
–5
1
I
2
|
2
M
10
0
10
100
MAG
|S
21e
|
2
V
CE
= 3 V
f = 4 GHz
Collector Current I
C
(mA)
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG
vs. COLLECTOR CURRENT
M 25
0
1
I
2
|
2
M
20
10
15
10
100
MAG
|S
21e
|
2
V
CE
= 3 V
f = 2 GHz
Collector Current I
C
(mA)
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG
vs. COLLECTOR CURRENT
M 25
0
1
I
2
|
2
M
20
10
15
10
100
MAG
MSG
|S
21e
|
2
V
CE
= 3 V
f = 2 GHz
Collector Current I
C
(mA)
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG
vs. COLLECTOR CURRENT
M 20
1
I
2
|
2
M
15
10
5
10
100
MAG
MSG
|S
21e
|
2
V
CE
= 3 V
f = 1 GHz
Collector Current I
C
(mA)
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG
vs. COLLECTOR CURRENT
M 20
1
I
2
|
2
M
15
10
5
10
100
MAG
MSG
|S
21e
|
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| UPA846TD | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 35MA I(C) | TSOP |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| UPA837TF-T1 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR |
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