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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UPA836TD |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|一對(duì)|叩| 6V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的TSOP |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/40頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 196K |
| 代理商： | UPA836TD |
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Data Sheet P15358EJ1V0DS
2
μ
PA836TD
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= +25
°
C)
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Q1
Q2
Collector to Base Voltage
V
CBO
9
9
V
Collector to Emitter Voltage
V
CEO
6
6
V
Emitter to Base Voltage
V
EBO
2
2
V
Collector Current
I
C
30
100
mA
Total Power Dissipation
P
tot
Note
180 in 1 element
210 in 2 elements
mW
Junction Temperature
T
j
150
°
C
Storage Temperature
T
stg
65 to +150
°
C
Note
Mounted on 1.08 cm
2
×
1.0 mm (t) glass epoxy substrate
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA836TD-T3 | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP |
| UPA841TC | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TSOP |
| UPA846TC-T1 | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 35MA I(C) | TSOP |
| UPA846TD | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 35MA I(C) | TSOP |
| UPA846TD-T3 | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 35MA I(C) | TSOP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPA836TD-T3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP |
| UPA836TF | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI MOLD PACKAGE |
| UPA836TF-T1 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI MOLD PACKAGE |
| UPA837TF | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR |
| UPA837TF-T1 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR |
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