型號(hào): | UPA828TC |
英文描述: | Discrete |
中文描述: | 離散 |
文件頁數(shù): | 8/16頁 |
文件大?。?/td> | 78K |
代理商: | UPA828TC |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
UPA829TD | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP |
UPA829TD-T3 | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP |
UPA836TD | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP |
UPA836TD-T3 | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP |
UPA841TC | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TSOP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
UPA828TD-A | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicn Amp Oscilltr Dul Trnsist RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
UPA828TD-T3-A | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicn Amp Oscilltr Dul Trnsist RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
UPA828TF | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 6-PIN 2 x 2SC5184 THIN-TYPE SMALL MINI MOLD |
UPA828TF_99 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR |
UPA828TF-T1 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR |