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參數資料
| 型號： | UPA828TC |
| 英文描述： | Discrete |
| 中文描述： | 離散 |
| 文件頁數： | 5/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 78K |
| 代理商： | UPA828TC |
Data Sheet PU10167EJ01V0DS
5
μ
PA828TC
14
12
10
8
6
4
2
0
1
10
100
G
T
Collector Current I
C
(mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
V
CE
= 1 V
f = 2 GHz
14
12
10
8
6
4
2
0
1
10
100
G
T
Collector Current I
C
(mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
V
CE
= 2 V
f = 2 GHz
V
CE
= 1 V
I
C
= 10 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN,
MAG, MSG vs. FREQUENCY
I
2
|
2
M
M
35
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1
10
MAG
MSG
|S
21e
|
2
V
CE
= 2 V
I
C
= 10 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN,
MAG, MSG vs. FREQUENCY
I
2
|
2
M
M
35
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1
10
MAG
MSG
|S
21e
|
2
V
CE
= 1 V
I
C
= 20 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN,
MAG, MSG vs. FREQUENCY
I
2
|
2
M
M
35
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1
10
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN,
MAG, MSG vs. FREQUENCY
I
2
|
2
M
M
35
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1
10
MAG
MSG
|S
21e
|
2
V
CE
= 2 V
I
C
= 20 mA
MAG
MSG
|S
21e
|
2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA829TD | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP |
| UPA829TD-T3 | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP |
| UPA836TD | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP |
| UPA836TD-T3 | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP |
| UPA841TC | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TSOP |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| UPA828TD-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicn Amp Oscilltr Dul Trnsist RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| UPA828TD-T3-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicn Amp Oscilltr Dul Trnsist RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| UPA828TF | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 6-PIN 2 x 2SC5184 THIN-TYPE SMALL MINI MOLD |
| UPA828TF_99 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR |
| UPA828TF-T1 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR |
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