參數(shù)資料
型號： UPA828TC
英文描述： Discrete
中文描述： 離散
文件頁數(shù)： 14/16頁
文件大?。?/td> 78K
代理商： UPA828TC
Data Sheet PU10167EJ01V0DS
14
μ
PA828TC
PACKAGE DIMENSIONS
FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD (UNIT: mm)
PIN CONNECTIONS
1. Collector (Q1)
2. Emitter (Q1)
3. Collector (Q2)
4. Base (Q2)
5. Emitter (Q2)
6. Base (Q1)
0
0
+
–
0
0
0
0
0
+
–
0
1
3
2
1
4
5
6
1.10±0.1
1.50±0.1
4
(Top View)
C1
E1
C2
B1
E2
B2
1
2
3
6
5
4
Q1
Q2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA829TD TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP
UPA829TD-T3 TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP
UPA836TD TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP
UPA836TD-T3 TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP
UPA841TC TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TSOP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPA828TD-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicn Amp Oscilltr Dul Trnsist RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA828TD-T3-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicn Amp Oscilltr Dul Trnsist RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA828TF 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 6-PIN 2 x 2SC5184 THIN-TYPE SMALL MINI MOLD
UPA828TF_99 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
UPA828TF-T1 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
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