參數(shù)資料
型號： UPA622TT
廠商： NEC Corp.
英文描述： N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
中文描述： N溝道MOS場效應(yīng)晶體管開關(guān)
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大小： 149K
代理商： UPA622TT
Data Sheet G16113EJ2V0DS
6
μ
PA622TT
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
V
G
0
2
4
6
8
10
12
14
0
1
2
3
4
I
D
= 3.0 A
V
DD
= 6.0 V
15 V
24 V
Q
G
- Gate Charge - nC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA622TT-E2-A N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA800T-T1 HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
UPA800T HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
UPA800TF NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA800TF-T1 BJT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPA622TT-E1 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
UPA622TT-E1-A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6-WSOF RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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UPA64H 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:High Speed Switching
UPA650 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:UPA650TT Data Sheet | Data Sheet[05/2002]
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