參數(shù)資料
型號: UPA622TT
廠商: NEC Corp.
英文描述: N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
中文描述: N溝道MOS場效應(yīng)晶體管開關(guān)
文件頁數(shù): 4/7頁
文件大?。?/td> 149K
代理商: UPA622TT
Data Sheet G16113EJ2V0DS
4
μ
PA622TT
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
0
2
4
6
8
10
12
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
Pulsed
4.0 V
V
GS
= 10 V
4.5 V
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
DS
= 10 V
Pulsed
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V
G
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
-50
0
50
100
150
V
DS
= 10 V
I
D
= 1.0 mA
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
|
f
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
T
A
=
25°C
25°C
75°C
125°C
V
DS
= 10 V
Pulsed
I
D
- Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
R
D
0
50
100
150
200
-50
0
50
100
150
Pulsed
V
GS
= 4.0 V, I
D
= 1.0 A
V
GS
= 10 V, I
D
= 1.5 A
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 1.0 A
T
ch
- Channel Temperature - °C
R
D
0
50
100
150
200
0
5
10
15
20
Pulsed
I
D
= 1.5 A
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA622TT-E2-A N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA800T-T1 HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
UPA800T HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
UPA800TF NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA800TF-T1 BJT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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