參數(shù)資料
型號(hào)： SUP60N10-16L
廠(chǎng)商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 100-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET
中文描述： N溝道100 -五（副）175度Celcious MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 41K
代理商： SUP60N10-16L
SUP60N10-16L
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 71928
S-03600—Rev. B, 31-Mar-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
Drain Source Breakdown vs.
Junction Temperature
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
On-Resistance vs. Junction Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
T
J
- Junction Temperature ( C)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
-
I
S
100
10
1
0.3
0.6
0.9
1.2
V
GS
= 10 V
I
D
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
(
-
r
D
)
0
95
100
105
110
115
120
125
130
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
V
(
I
D
= 10 mA
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PDF描述
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