參數(shù)資料
型號： SUP60N10-16L
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 100-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET
中文描述： N溝道100 -五（副）175度Celcious MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 41K
代理商： SUP60N10-16L
SUP60N10-16L
Vishay Siliconix
Document Number: 71928
S-03600—Rev. B, 31-Mar-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
0
20
40
60
80
100
0
2
4
6
8
10
0
10
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30
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60
70
80
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40
80
120
160
0
10
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30
40
50
60
70
80
90
0.000
0.005
0.010
0.015
0.020
0.025
0.030
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100
120
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0
30
60
90
120
0
2
4
6
8
10
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Capacitance
Gate Charge
Transconductance
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
D
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
I
D
- Drain Current (A)
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
-
g
f
25 C
-55 C
3 V
T
C
= 125 C
V
DS
= 50 V
I
D
= 60 A
V
GS
= 10 thru 6 V
V
GS
= 10 V
C
iss
C
oss
T
C
= -55 C
25 C
125 C
4 V
V
GS
= 4.5 V
-
r
D
)
-
I
D
I
D
- Drain Current (A)
5 V
C
rss
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PDF描述
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參數(shù)描述
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SUP60N10-18P-E3 功能描述:MOSFET 100V 60A 150W 18.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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